面对存储器半导体产业低迷，三星电子、SK海力士、美光企图通过新旧世代的产品交替，克服危机。
据韩国科技媒体《DDaily》报道，仅距离SK海力士第2代10纳米级制程(1y nm)11个月，SK海力士再有新进展，成功开发第3代10纳米级制程(1z nm)的16Gb(Gigabit) DDR4 DRAM。
SK海力士表示，1z nm生产效率比前一代高出27%，且使用过去没有加入的新原料，成功最大化DRAM的静电容量。外界期待，未来1z nm制程将扩大应用在新一代移动DRAM“LP DDR5”与高速DRAM “HBM 3”上。
10纳米为10亿分之1米，10纳米级的DRAM制程分为1代(1x)、2代(1y)与3代(1z)，x为后段制程，再逐渐发展到中段y制程，最后才是前段的z制程。但这些制程没有一个公定标准，因此每间制造公司的规格会有所差异，1z制程约在14～16纳米左右。
与NAND闪存不同的是，DRAM需要制作电容器，比较难堆叠芯片层数，因此制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能、效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量，这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。
日前三星电子、美光相继成功开发1z工程。三星电子于3月完成1z DRAM的开发，并从9月开始量产，虽然仍使用氩氟(ArF)曝光设备，但年底前有望引进极紫外光(EUV)微影技术。
美光也在8月宣布量产1z制程的16Gb DDR 4DRAM。美光认为，提高电脑用DDR4 DRAM、移动用DRAM(LPDDR4)，以及图形用DRAM(GDDR6)技术，对事业有很大的帮助。
整体看来，虽然存储器半导体市况尚未好转，但《DDaily》指出，各大制造商打算以通过技术差距来扭转现况。外界期待，企业完成1z制程产品后，有望消弥外在不确定因素，迎来新的全盛时期，增加收益。
业界相关人士分析，不论针对长期、短期，存储器企业提高技术都是相当正面的消息，该技术有机会成扭转市场的契机。
