瑞萨携手松下合作拓展45nm系统级芯片工艺

松下电工有限公司与瑞萨科技日前宣布，两家公司已开始全面测试45nm系统芯片（SoC）半导体制造工艺。该工艺技术是业界第一次利用1.0以上的数值孔径（NA）和氩氟化物（ArF）浸入式微影系统进行的全面整合。 
    预期目前的联合开发项目将在2007年6月完成，开始投入量产的时间是2008财年。新的45nm工艺将用来制造松下和瑞萨用于先进移动产品和网络消费类电子产品的系统级芯片。除了先进级的ArF浸入式光刻外，两家公司还计划在开发项目中采用其它新技术，包括引入应力的高迁移率晶体管和ELK（K = 2.4）多层布线模块。