ICInsights预测，继今年上半年半导体资本支出大幅增长后，全年半导体资本支出预期上调至809亿美元，比去年同期增长20%，且高于预期资本支出53亿美元，堪称历史最高。
2017年为资本支出贡献最大的为晶圆代工厂(28%)和闪存(24%)。随着2016年第三季度以来DRAM价格的飙升，DRAM制造商将再次加大在这一领域的支出。预计到2017年，DRAM/SRAM的增长将达到53%，有望成为今年资本支出增长的最大百分比。经分析，大部分资本支出仍在升级技术方面，但DRAM生产商SKHynix分析称，不单单投入在技术升级，更花费在产能提高上。
即使是今年支出激增，2017年闪存（190亿美元）的资本支出仍将远远高于DRAM/SRAM(130亿美元)。ICInsights认为，2017年闪存的所有支出都将用于3DNAND工艺技术改良，包括三星电子在韩国平泽掀起的3DNAND热浪。
总体而言，预计在2016年强劲增长23%之后，闪存的资本支出将在2017年实现33%的增长。然而，历史先例表明，资本支出的激增通常会导致产能过剩和定价疲软。在未来几年里，与三星、海力士、微软、英特尔、东芝、西部数据、SanDisk和武汉新芯/长江存储技术有关的3DNAND闪存容量将有大幅度提升，而且新的中国生产商可能会进入市场，ICInsights认为未来随着3DNAND闪存市场需求的增长加大，也将会面临更大风险
