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内存市场前景旺 未来5年年均增长达7.3%

 内存市场日益扩大,研调机构IC Insights最新报告预测,DRAM与NAND闪存等,未来5年年均复合增长率(CAGR)可达7.3%,产值将从去年的773亿美元扩增至1,099亿美元。

    报告将半导体区分成逻辑、内存,模拟与微组件(microcomponents)IC等4种类型,在5年的预测区间内,以内存成长力道最为强劲,模拟IC以5.2%次之,微组件为4.4%,至于台积电擅长代工的逻辑IC则仅有2.9%。

    IC Insights指出智能手机等移动设备对低功耗内存需求激增,是驱动DRAM与NAND闪存成长的主要动能。除此之外,使用NAND闪存的固态硬盘(SSD)在数据中心、笔电的应用也日趋吃重。

    三星6日公布2016年第四季财报,在Note 7自燃召回的状况下,营益竟然还能逆势跳增近80%,就是因为受惠于内存价格大涨,将利润空间拉大。

 

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