英飞凌扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动，节省空间和降低成本。此外，StrongIRFET™十分坚固耐用，帮助延长电子产品的使用寿命。
经过实验证明StrongIRFET系列器件能够最大限度提高电动工具的能效。这次逻辑电平StrongIRFET产品的扩展又使得英飞凌能够满足市场对于无需独立驱动器的产品的需求。新推出的器件的栅源驱动电压降至4.5 V，在很多应用中这为直接连接MOSFET与单片机创造了可能性。
英飞凌电源管理及多元化市场事业部产品市场总监Stéphane Ernoux 表示：“逻辑电平StrongIRFET系列具有两大决定性优势：降低多种应用中电子设计的复杂性;表现出无与伦比的坚固耐用性。”
新器件保留了StrongIRFET系列的典型性能特色：低导通电阻(如下IRL7472L1TRPBF，典型值只有0.52 m?和最大值是0.97 m?)降低导通损失;高载流能力提高功率容量以及耐用硅晶片，所有这些特性共同提升了系统高可靠性。
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