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长电科技推出低内阻、小尺寸锂电MOSFET系列新品


    2015年5月22日,深圳长电科技有限公司(以下简称“长电科技”)召开2015年度锂电MOSFET系列新品发布会,宣布推出DFN2×3、CSP系列新品。深圳长电科技总经理杨国江、副总经理范荣定出席了本次发布会,业界相关企业和人士参加了发布会。

    新推出的DFN2×3封装产品具有相比DFN3×3封装产品,具有尺寸更小、有利缩减PCB宽度的优势,另外还具有贴片工艺简单、整体成本低、不易破裂、焊接工艺成熟和管脚排列简单,PCB设计布线简洁等五大优势,该产品拥有CJCD2003、CJCD2004、CJCD2005、CJCD2006、CJCD2007等多种型号。

    CPS产品虽然存在易碎、贴片工艺复杂和电教需要人工及成本等方面的不足,但其具有封装更小更薄(只有0.2-0.38mm)、内阻低、散热好、PCB布线容易等优势,CJ4618SP、CJ4621SP是其主要产品型号。

    DFN2×3、CSP系列新品将广泛应用于各类锂电池保护模块、手机平板电脑等数码产品、LED、TV等消费类电子产品、电动交通工具控制器、不间断电源、逆变器和各类电力电源等多个领域。
 
    深圳长电科技副总经理范荣定表示:“基于长电科技在MOSFET研发、产能实力上具有优秀研发团队、国内一流8寸流片及全球第三封测产线三位一体的实力,以及拥有30亿只/月的器件产能、全面的封装形式和完善的供应系统等优势,MOSFET系列新品将持续以‘芯片制造+Bumping+封测’的Turnkey定制服务满足客户需求,以众多产品生产检验设备保证产品可靠性。”
 
    深圳长电科技总经理杨国江在本次新品发布会上指出,长电科技具有技术能力、品质、服务、价格和供货等五大优势,供货作为最大优势,拥有产能大、交期短、备货充足及快速应急能力三大特点。

    2014年,长电科技长电科技营业额达64.283亿元;全球封测企业2015年度排名中,长电位居全球第三。据悉,长电科技将投资100亿,并与与中芯国际进行10多亿的战略合作,致力于打造半导体完整产业链。未来五年,长电将着重于海外并购,建立成世界一流的封测企业,并规划到2020年投资150亿人民币达成350亿销售额。

    深圳长电科技重点产品介绍:

    CJCD2004特点与优势:

    1.抗静电能力

    2.高雪崩能量

    3.低内阻

    4.高雪崩耐量

    5.符合ROSH标准

    6.低Qrr

    7.尺寸小,高散热能力

    8.脚位设计合理,PCB板布线设计容易

    CJ4618SP特点与优势:

    1.低内阻

    2.尺寸小

    3.芯片级封装

    4.良好的散热性能

    5.PCB布线设计容易

    CJCD1202特点与优势

    1.耐压较低,更低的内阻

    2.尺寸小

    3.良好的散热性能

    4.PCB布线设计容易

 

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