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创意电子展示首创台积电16纳米低漏电流IP


    弹性客制化IC领导厂商(FlexibleASICLeaderTM)创意电子(GUC)今日发表业界首创采用台积电(TSMC)16奈米FinFET+工藝的低漏电流(LowLeakage)USB3.1物理层IP(PHYIP)。此全新IP将于6月15日推出。

    此16奈米USB3.1PHYIP通过流片验证,支持USB2.0、3.0及3.1通讯协议,目前可用于USBType-C接口,为针对数据传输及装置充电功能所设计,其拥有超低功耗特性,适合智能型手机,笔记本电脑和平板计算机等应用。创意电子的USB3.1PHY符合USB3.1规格認證,数据传输速率高达每秒10Gb,支持PRBS内建自我测试及多种回環模式,参考時鐘频率(referenceclockfrequency)有20/25/40/50/100MHz可选。

    创意电子将于今日在美国加州圣荷西举办的台积电技术研讨会(TSMCTechnologySymposium)上展示USB3.1PHY,再搭配上瑞萨(Renesas)的USB3.1主机控制器,将成为以16FF+为基础的USB3.1PHY及控制器完整解决方案。

    创意电子总裁赖俊豪表示:「我们的16奈米产品组合在加入USB3.1PHYIP之后,真正能为ASIC及设计社群提供多样化的高阶技术选项,将可满足整个价值链日后每项尖端设计的需求。瑞萨控制器与创意电子PHY能够协同工作,两者的结合势将成为最高阶的USB3.1完整解决方案。」

    GUC的IP阵容包括DDR、高速SerDes、数模转换器、ARM硬核,及多媒体IP。GUC拥有极具弹性的IP生态系统,能与来自GUC、台积电及其他厂商的IP共同合作,建立最广泛的设计方案。

 

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