三级单元(triple-levelcell；TLC)快闪记忆体在进入客户端市场两年后，预计将进一步在资料中心获得动能。但长期来看，由于3DNAND逐渐取代，传统的NAND记忆体成长开始趋缓。
截至目前为止，TLC主要用于USB驱动器、快闪记忆卡、低成本智慧型手机与客户端固态固碟(SSD)；不过，市调公司ForwardInsights首席分析师GregoryWong指出，市场上目前已经看到iPhone6开始采用了，预计它将在2015-2016年进一步渗透到高阶智慧型手机与企业资料中心SSD应用中。
另一家市调公司Gartner也发表类似的预测看法。Gartner半导体研究副总裁JoeUnsworth表示今年已经有一些特定客户选择在资料中心采用TLC了。该研究公司预计，在未来的一年，TLC和3D将成为NAND技术进展关注重点，特别是三星电子(Samsung)已在2014年为3DNAND实现商用化，但预计业界采用的脚步仍缓慢，大约要到2016年以后所有厂商都实现商业化后才可能普及应用。在那之前，该产业仍将会是一个多级单元(MLC)和TLC并存的世界，他说。
NAND技术革命：TLC和3DNAND将成为关注重点
GregoryWong预计，在2016年以前，MLC将继续应用在智慧型手机、平板电脑和SSD，以及可能用于一些越来越普及的Android智慧型手机中；而单级单元(SLC)则持续用于机上盒(STB)、数位相机、印表机与行动装置等消费应用中。然而，GregoryWong指出，由于越来越多的行动装置与相机改采用MLC，SLC采用量正逐渐减少，主要的成长力道来自工业与汽车应用。
推动TLC成长以及在资料中心应用找到立足点的原因之一在于更智慧化的控制器，它克服了对于耐用性的顾虑。整体而言，Gartner认为，快闪记忆体管理韧体与先进控制器将成为NAND市场的差异化因素。
ObjectiveAnalysis首席分析师JimHandy表示，TLC以往多半用于低阶写入应用，如快闪记忆卡、USB快闪驱动器与MP3播放器等，一直到2013年才成功地应用于三星与SanDisk提供的客户端SSD中。“使MLC得以取代SLC的相同基础架构技巧，也适用于让TLC取代MLC，”JimHandy表示。然而，MLC的成本约为SLC的50%，改用MLC能够带来更大的成本优势；相形之下，TLC的定价约为MLC的80%，因而无法为TLC取代MLC带来什么推动力量。
JimHandy预期，SLC并不至于完全消失，但逐渐地，当市场上只有几家供应商(如Spansion与旺宏Macronix)就足以满足市场需求时，SLC的出货量将会逐渐萎缩，成本也会日趋增加。
JimHandy认同Gartner的看法——控制器成为一项重要的差异化关键。控制器变得更智慧、更复杂，尽管得花更多的成本，但却降低了TLC进入新领域的成本。不过，控制器也有其局限性，他说，当达到极限时，就必须增加快闪记忆体与内建冗余。
JimHandy强调，TLC将不会完全取代MLC。“MLC的应用基本上已经是无处不在了，这样的情况还将延续到接下来的两年，或甚至更长的时间。”然而，3DNAND更适于采用TLC，因而可能比平面NAND使用更多的TLC。
不过，他同样认为，3DNAND至少要到2016年以后才能加速成长；最终，TLC和3DNAND将竞相成为NAND快闪记忆体的最低成本选择。(参考原文：Triple-Level Cell Memory Makes Gains in Storage，by Gary Hilson)
