STS DRIE电浆源可与12英寸晶圆高度兼容

      Surface Technology Systems(STS)公司日前宣布，将开发一种新的深反应离子蚀刻(DRIE)电浆源，该系统将与大量制造IC时所使用的12英寸晶圆有高度兼容性。


    DRIE加工法是由德商Robert Bosch GmbH所发明、STS所开发的一项重要硅基微细加工技术，该加工法在MEMS的制造过程中已有长达十年的历史。随着电路的越渐复杂及装置速度的提升，产业需求逐渐倾向于将细薄的芯片采用堆栈方式，而非将所有的功能组件都整合于一颗平面的系统单芯片(SoC)中。

    当堆栈芯片的数量逐渐增加以及输出入(I/O)数增加时，焊线法就变得越来越复杂以及昂贵，而层间互连法则在这方面有其它优势，包括减少所需的芯片面积、缩短互连距离，且可以将导孔放置于芯片内而非芯片边缘。

    随着2005年Pegasus DRIE来源的推出，STS便比其它传统的DRIE系统明显地展示了更高的芯片蚀刻率，使层间互连法更加地吸引IC制造商，也为300mm平台带来了同等处理能力的需求。

    STS技术长Leslie Lea解释道：“当MEMS业界的客户还仍旧专注于150mm或200mm的芯片加工时，大多数的主流半导体制造商早已为了降低芯片成本而转移到300mm的芯片使用上。因此，为满足这些客户的需求我们决定开发新的蚀刻工具。我们期待STS将为那些使用300mm芯片的客户提供先进的解决方案。”