e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合 — C7和P6系列CoolMOS?功率MOSFET，它们具备极低的开关和传导损耗，从而可实现更高的功率密度和效率。同时，该系列功率MOSFET还提供最优化的硬开关拓扑性能，完美应用于太阳能、服务器、电信设备及UPS(不间断电源)等应用领域。
英飞凌科技公司高压功率转换产品负责人Jan-Willem Reynaerts表示：“英飞凌推出的CoolMOS?是一款用于根据超结理论设计高压功率MOSFET的革命性技术，可帮助客户设计出前所未有的具备更高功率密度及效率的新一代功率转换系统。客户现可方便地通过e络盟购买英飞凌广泛的解决方案，并获得本地客户服务及技术支持。”
C7系列适用于计算机、服务器、电信设备、UPS及太阳能等应用领域，其主要特性包括：
更高安全裕度，适用于SMPS和太阳能逆变器应用最低传导损耗/封装低开关损耗使用较小型封装或更少部件节约空间
P6系列适用于PC电源、整流器、电视机、照明设备、服务器、电信设备及UPS等应用领域，其主要特性包括：
优化集成式Rg更高dv/dt硬件与软件开关拓扑优秀性能水平低传导及开关损耗
e络盟亚太区产品与资产管理总监Marc Grange表示：“我们很高兴此次能够新增来自英飞凌的高压功率MOSFET，从而为用户提供高端功率转换产品。该系列MOSFET兼具快速开关超结MOSFET的所有优点，可为用户提供具备更高系统效率及功率密度的解决方案，满足客户需求。”
