近日，应用材料宣布推出Endura Volta化学气相沉积(CVD)钴金属系统，藉由钴金属来包覆铜导线，提供半导体厂快速抢进20奈米以下先进制程。同时，应用材料也推出Endura Ventura物理气相沉积(PVD)系统，协助客户利用直通硅晶穿孔(TSV)技术快速完成3D晶片产能布建。
应用材料将钴金属层的导入做为出色的金属包覆薄膜，是半导体导线材料过去15年来最重大的变革。Endura Volta化学气相沉积系统所拥有的两项新制程步骤，为28奈米以下的铜导线制程提供主要的技术延伸性，第一项步骤为沉积一层高度完整披覆性的钴内衬层，可增加细铜导线中铜的间隙填充能力，第二项步骤是新的「选择性」化学气相沉积钴金属覆盖层，此制程是在化学机械研磨后进行沉积以包覆铜线，可提高可靠性。
应用材料半导体事业群金属沉积制程产品处资深经理吴纪桦表示，钴金属具有很好的铜黏着性，可以协助铜与其它金属完整的连结在一起，因为制程进入28奈米以下，特别是在20奈米世代，只靠厚度微缩是无法完整填充铜导线。同时，此一技术将可以延续到14/16奈米或10奈米世代，延续摩尔定律持续走下去。
吴纪桦分析，利用钴金属进行化学气相沉积制程，并用来完整包覆铜导线，可以阻止铜及介电材料上的相互影响。 事实上，当制程微缩愈来愈小，会出现电迁移失效的问题，当强大电流在走动时，铜原子也会跟着同方向移动，若后面铜原子无法填补上就会出现导电不佳问题，所以，利用钴金属的选择性沉积在铜导线，可以解决铜及介电材料间覆着性太弱问题，进而解决电迁移失效，这是业界唯一的创新技术。
