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升特利用32nm SOI技术开发出ADC和DAC初级核


    模拟和混合信号半导体领域的领先供应商升特公司日前宣布,其利用IBM的32nm SOI技术开发的64GSPS ADC和DAC初级核现已上市,可用于高性能片上系统(SoC)集成解决方案。此类器件可用于包括光通信、雷达和电子战系统在内的先进通信系统;基于低功耗、小面积区域的大瞬时带宽,此类超高速数据转换器可使操作过程更加灵活,实现并行多波段/多波束运行,并可提供极高的动态性能,使之成为高度过采样系统的理想选择。32nm数据转换器核是升特公司数据转换器核产品规划中的首个产品,该规划还包括用于14nm FinFET的数据转换器核系列产品,有望于2015年底上市。

    升特公司首席系统架构师Craig Hornbuckle表示:“我们认为,利用IBM公司32nm SOI工艺及其独特功能集开发出的先进ADC和DAC核足以应对下一步高性能通信系统(如:400 Gb/s光系统和先进雷达系统)发展带来的挑战。同时,我们看到,现有射频通信市场中出现的扩展应用:高速数字逻辑电路正在替换那些传统的灵活性差的模拟电路。”

    ADC核的面积为4 mm2,DAC核的面积为2.2 mm2。此类器件中包含一个宽调谐毫米波合成器,可

    以使ADC核或DAC核调整每个通道的采样速率从42 GS/s 到68 GS/s,并保持45飞秒均方根抖动

    值。一个完整的双通道2x64 GS/s ADC核每秒可产生1280亿次模数转换,总功耗为2.1瓦,而双通

    道DAC核功耗为1.7瓦。此类器件可实现5.8有效位数,高达10 GHz及大于43 dB的SFDR。此外,此类器件具有必要的BIST 和校准功能,因此用户无需再进行复杂的生产测试或任务模式校准运算。
 

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