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LED市场蓄势爆发 稀有金属镓和铟将受益


    统计数据显示,2013年我国半导体照明产业整体规模达到了2576亿元,较2012年的1920亿元增长34%,成为2010年以后国内半导体照明产业发展速度较快的一年。其中上游外延芯片规模达到105亿元、中游封装规模达到403亿元,下游应用规模则突破2000亿元,达到2068亿元。2013年可以说LED行业回暖的一年,也是消耗产能的一年。专家认为2014年LED产业将走出产能过剩的问题,将重启设备投资并扩大产能。根据国际半导体设备与材料组织的季度预测报告,LED晶片制造设备的投资在经历连续下降之后,到明年将上升17%,达到12亿美元。

    LED照明市场的快速发展,其中一方面是技术进步致使LED照明产品价格走低,从而促使市场接受度提高;另一方面近年来环境污染日益严重,LED照明产业作为我国重大节能减排项目,经过大力推广后室内照明市场逐打开,同时LED背光技术的应用逐渐广泛,实际市场需求真正走高。亚洲首富李嘉诚对LED节能灯的“钱景”也非常看好,今年初多伦多大学三位毕业生推出的纳米LED灯胆就获得了他的赏识和资助,而他尤其看好LED灯胆在中国市场的潜力。

    LED照明需求的快速提升,给相关的稀有金属材料需求带来巨大机遇。LED的核心材料是镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)、铟(In)的化合物制成的半导体芯片。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的是最具有商业应用价值的LED灯材料之一。2013年,我国芯片产量增幅高达61%,其中GaN芯片的产量占比达65%,而以InGaAlP芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%,GaAs等其他芯片占比为10%左右。如果2014年LED照明市场的增长率高达80%,那么半导体芯片的产量也会继续保持高速增长。

    全球LED照明的快速发展,必将会带动镓和铟等半导体金属需求的快速增长,也会带动越来越多的企业和个人关注铟和镓等稀有金属。作为全球铟、镓等稀有金属交易量和库存量最大的现货交易所,泛亚有色金属交易所在稀有金属行业内的优势地位也会逐渐凸显。
 

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