东芝公司宣布开发出一种带MIPI®RFFE[2]接口的SP10T[1]射频天线开关，其插入损耗[3]堪称智能手机市场业界最低[4]，尺寸堪称业界最小。该产品即日起交付样品。
新产品运用了“TaRF5”—一种采用绝缘硅(SOI)技术[6]打造的新一代TarfSOI™(东芝先进的RF SOI)[5]工艺。相较于采用TaRF3工艺打造的产品而言，采用TaRF5工艺打造的新样品的插入损耗(f=2.7GHz)改善了25%，尺寸缩小了40%。这些改进可延长电池工作时间，缩小安装空间，还有助于缩小应用产品的尺寸。
自从2009年为智能手机射频天线开关开发SOI-CMOS工艺以来，东芝已经相继开发出了可改善性能的新一代工艺和设备。随着LTE和LTE-Advanced[7]相继在全球获得采用，市场对射频天线开关的需求也倾向于多端口与复杂功能。为满足这些市场需求，东芝计划继续开发低插入损耗、小尺寸的产品。
注：
[1]：单刀十掷开关。
[2]：MIPI Alliance, Inc.开发的射频前端接口。MIPI是MIPI Alliance, Inc.的注册商标。
[3]：电流从射频电路的一个终端进入另一个终端时发生的电力损耗，以分贝表示。
[4]：射频天线开关市场。(截至2013年10月8日。东芝调查。)
[5]：TarfSOI™是东芝公司的商标。
[6]：该技术在MOSFET通道内形成了一层绝缘膜并降低杂散电容，从而改善CMOS LSI的速度和省电情况。
[7]：3GPP标准制定组织制定的新通信标准。ITU界定的第四代移动通信系统中的一个。
