联华电子的28纳米 High-K/Metal Gate工艺运用SuVolta的 DDC技术指向移动应用
台湾新竹, 加州洛斯加托斯— 联华电子公司 ("UMC") 与SuVolta公司宣布联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)工艺。SuVolta与联华电子正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗，并提高SRAM的低电压效能。
这两家公司还宣布该工艺技术将提供高度灵活的采用方式：
“DDC PowerShrink?低功耗平台”选项：所有晶体管都使用DDC技术以实现最佳功耗与效能优势;
“DDC DesignBoost晶体管调换”选项：用DDC晶体管取代现有设计中部分晶体管。该选项的典型应用是用DDC晶体管取代泄漏功耗大的晶体管来降低泄漏，或者取代SRAM位单元晶体管从而提高效能并降低最低工作电压(Vmin)
联华电子先进技术开发部副总裁游萃蓉表示：“在接下来的几周或者几个月，我们期待看到联华电子与SuVolta联合开发的技术有良好的结果，从而进一步验证DDC技术为我们的28纳米 HKMG工艺带来的功耗与效能优势。通过将SuVolta的先进技术引进到我们的HKMG工艺上，联华电子将提供28纳米移动计算工艺平台，以完善我们现有的Poly-SiON及HKMG技术。”
SuVolta总裁兼首席执行官Bruce McWilliams博士表示：“联华电子与SuVolta团队继续将DDC技术集成到联华电子的28纳米工艺，取得优秀的进展。通过合作，我们开发的工艺使得联华电子客户的设计易于移植。此外，SuVolta为业界提供选择，以替代昂贵而复杂的工艺技术，从而推动未来移动器件的发展。”
