双镶嵌、硅通孔(TSV)、微机电(MEMS)与太阳能等领域湿沉积技术的领先供应商Alchimer, SA， 日前宣布与imec达成一项联合发展计划，为先进的纳米互连技术评估和实施铜(Cu) 填充解决方案。该计划的重点将是Alchimer的Electrografting (eG) 产品系列，其已证明可在7nm节点装置上实现无空隙填充，并允许在阻挡层上直接进行铜填充，且镶嵌制程无需晶种层。
由于CMOS规模增加，使工艺更加精细，因此市场要求铜镶嵌要有更小的尺寸(≤16/14 nm)，采用薄阻挡层，以及薄铜晶种层，或无铜晶种层。填充工艺必须没有任何缺陷/空隙，以满足可靠性规范，并实现高良率。传统的物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)工艺不能达到这些要求。 Alchimer的湿沉积技术建立在分子构建制程的基础之上，突破了干沉积制程的局限性。
Alchimer公司的执行长Bruno Morel表示：“我们相信，随着产业发展到更小的技术节点，效能和成本将推动技术的采用。eG在先进镶嵌应用领域的效能，包括20nm以下的单、双镶嵌，已经在效能及持有成本两方面均展现出广阔前景。与imec合作让我们能够获得巨大资源，借此验证我们在300mm的技术适宜性，并了解如何为450mm做好准备。”
联合发展计划(JDP)的目标是要获得在22nm以下技术的300mm制造环境中，eG湿沉积工艺的可靠性资料及电气效能。作为此项JDP的一部分，两间公司将对电镀化学法实施评估，并努力确定300mm晶圆级先进镶嵌电镀应用的最佳制程条件。
关于Alchimer公司镶嵌工艺的eG填充技术
eG填充允许在阻挡层上进行直接铜填充，而不再需要晶种层。此外，该技术还被证明能够在7nm节点装置上实现无空隙填充，以改善良率及效能。总之，它对终端影响很小，且均匀性优异。
Alchimer高度可扩展的湿沉积技术是满足先进镶嵌结构市场需求的唯一解决方案，不仅如此，与传统的干沉积制程相比，该技术还能降低25%至35%的持有成本。这是透过尽量减少使用昂贵的PVD与CVD制程实现的，因为该制程可以在仅需最少改装的传统设备上实施。造成较低覆层及稳定化学作用的超保形层可在使用前即期混合。
