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飞思卡尔新推GaAs单片微波集成电路控制电路


    射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出一种先进的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)控制电路,专门用于优化飞思卡尔AirfastDoherty放大器的性能。


    新的先进的Doherty校准模块(ADAM)MMDS20254H能够更准确地校准大功率Doherty放大器的载波与峰值路径上的相位和振幅,从而提高整体基站性能。该先进技术还有助于提高能效,同时提高整个蜂窝频段的性能。


    飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理RituFavre表示,“Doherty放大器优化将是一个具有挑战性、比较耗时且工作量较大的过程。我们最新的ADAM产品具有非常先进的功能,证明我们深刻了解射频工程师目前所面临的设计挑战和问题。MMDS20254H解决方案提供了必要的先进技术和全面的支持,能够帮助射频工程师优化飞思卡尔业界领先的Airfast射频功率产品组合的性能。”


    随着TD-LTE和W-CDMA的广泛部署,Doherty放大器成为了行业标杆,重新获得了业界重视,能够在放大与这些流行协议相关的信号类型时提供高功率附加效率。飞思卡尔MMDS20254HADAM器件提供卓越的线性/效率平衡,同时提高了输出功率。该解决方案包括一个耦合器、数字可选移相器和步进衰减器,可使用单电压电源运行。MMDS20254H适用于W-CDMA和LTE等传输协议,工作频率为1800至2200MHz,可以使用SPI接口进行控制。


    产品信息


    飞思卡尔MMDS20254HADAM是一款GaAsMMIC产品,基于E-pHEMT和InGaPHBT技术。该器件采用符合RoHS的业界标准的6mmQFN封装,允许在1800至2200MHz的范围内调整相位和峰值。


    MMDS20254HADAM的端口2和端口3频率相同(500MHz带宽),二者之间有恒定90度的相位偏移量。在不同条件下(包括功率电平、电源电压和温度)可进行数字调整,以优化功率放大器的性能。


    定价和供货信息


    MMDS20254H现已供货。

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