如果取代同等额定值的硅模块，Cree的六只装模块可以降低75%的功率耗损，从而可以直接缩小散热片70%的体积或提高50%的功率密度。新型六只装SiC模块可以消除传统的设计限制(功率密度、效率和成本)，允许设计人员设计出高性能、低成本且更可靠的功率转换系统。与最先进的硅模块相比，这一SiC1.2千伏、50安模块可以提供与150安硅模块同等的性能。
YaskawaAmerica公司研究与应用经理JunKang博士表示：“与硅IGBT(绝缘栅门极晶体管)相比，SiC模块的有效转换可以大大减少降额，从而大幅提高工作频率，同时提高基本输出频率和减少电动机的无源组件尺寸”。
Cree功率和RF产品营销经理MrinalDas解释道：“Cree的SiC功率模块系列还可以为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和工业电源等应用带来极大益处。即使设计人员只是在电动机中用SiC取代硅模块，SiC的增强性能也可以降低功率耗损和冷却要求，从而降低动力电子设备系统的尺寸、重量、复杂性和总成本”。
来自Cree的CCS050M12CM2六只装模块现可通过Digi-KeyCorporation公司和MouserElectronics公司订购。适用于SiCMOSFET的栅极驱动器IC可通过IXYS公司和德州仪器(TexasInstruments)公司订购。Cree也可提供完整的栅极驱动器板(CRD-001)样品。
