美国高通公司与TSMC 25日共同宣布，高通公司全资子公司高通技术公司将率先采用TSMC28纳米高效能行动运算工艺（28nm High Performance Mobile, 28HPM）量产芯片，TSMC 28纳米高效能行动运算工艺亦领先业界支持频率2GHz以上具备低功耗优势的应用处理器，满足平板计算机及高阶智能型手机应用的需求。
高通首款利用28纳米高效能行动运算工艺量产之芯片是采用Krait 400 CPU架构频率高达2.3GHz的骁龙 800系列（SnapdragonTM 800） 四核心处理器，专为低耗电应用产品量身打造，同时，此款处理器亦是全球首颗整合第四代先进长期演进技术（LTE-Advanced）调制解调器载波聚合功能与Category 4数据传输速率高达150Mbps的系统单芯片，相较于前几代处理器，高通技术公司藉由降低漏电与操作功耗来大幅提升骁龙800系列处理器整体的功耗效率及指令周期。
TSMC 28纳米高效能行动运算工艺拥有高效能、低功率的优势，不仅适用于各类行动运算产品，亦广泛支持应用处理器、内建高通Gobi多频调制解调器功能之应用处理器、以及云端网通产品，该工艺支持频率达2-2.3GHz之中央处理器，每颗核心所消耗的功率低于750毫瓦，相较于TSMC的40纳米低耗电工艺（40LP），28纳米高效能行动运算工艺之速度增快2.5至2.7倍，而且操作功耗减半。
高通技术公司执行副总裁兼总经理Jim Lederer表示：“采用TSMC28纳米高效能行动运算工艺使高通的骁龙800系列处理器得以提供业界领先的效能并在电池使用寿命上发挥绝佳的表现，透过与TSMC密切的合作，该工艺能够让高通骁龙800系列处理器在平板计算机及高阶智能型手机解决方案上实现最大的效益，同时，双方亦持续合作寻求事业与策略目标的谋合，彰显伙伴关系所带来的价值。”
TSMC美国子公司总经理Rick Cassidy表示：「高通技术公司发挥其世界级架构平台的优势，并且凭借着在28纳米设计领域的高熟稔度来实现高阶智能型手机使用者所需具有突破性的2.3GHz效能与功耗特性，高通技术公司率先量产28纳米高效能行动运算工艺产品的这项成就令人赞赏，我们也恭贺该公司在行动装置市场持续保持领先的地位。」
