40A的IRGP4640D、50A的IRGP4650D和60A的IRGP4660D IGBT采用沟道纤薄晶圆技术，可降低传导和开关损耗。新器件与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装，通过5us的短路额定值来优化超高速开关 (8到30kHz)，并具备有助于并联的低Vce(on) 和正Vce(on) 温度系数。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR推出这些新器件，彰显我们致力扩充IGBT系列的承诺。新推出的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D提供坚固可靠的40A至60A解决方案，有助于设计人员优化系统性能。”
新款IGBT适合宽泛的开关频率范围，并提供更高的系统效率和稳固的瞬态效能。这些器件采用符合业界标准的TO-247封装，高达175°C的最高结温和低电磁干扰 (EMI) 使其具有更高的可靠性。
新产品现正接受批量订单。全新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
