与硅材料相比，SiC技术提供了更高的击穿场强度和更好的热传导率，从而实现了参数性能特性改进，包括零反向恢复、不受温度影响的特性、更高的工作电压和更高的工作温度，以实现全新的性能、效率和可靠性水平。
美高森美功率模块产品集团总经理Philippe Dupin称：“我们应用在功率半导体集成和封装领域的广泛的专业技术，提供下一代碳化硅功率模块系列，这些器件具有出色的性能、可靠性和综合质量水平。我们的新模块还使得设计人员能够缩减系统尺寸和重量，同时降低总体系统成本。”
关于新的SiC模块
美高森美新的工业温度SiC功率模块具有多种电路拓扑，并且集成在较小的封装内。新模块产品系列中的大多数产品使用氮化铝(aluminum nitride，AIN)衬底，来实现与散热器的隔离，从而改善了至散热系统的热传递。
其它特性包括高速开关、低开关损耗、低输入电容、低驱动要求、小尺寸和最小寄生电感，能够实现高频率、高性能、高密度和节能的电力系统。
新工业温度模块系列包括以下参数和器件：
· 1200V升压斩波电路(boost chopper)，额定电流为50至100A (器件编号：APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2)
· 1200V相臂 (phase leg) 结构，额定电流为40至200A (器件编号：APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG)
· 600V中性点箝位结构，专用于太阳能或UPS应用的三级逆变器，额定电流为20至160A (器件编号：APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG)
· 中性点箝位结构，600V/1200V混合电压，额定电流为20至50A (器件编号：APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)
美高森美的SiC产品组合包括分立和模块封装的肖特基二极管，以及标准和定制配置的采用SiC肖特基
二极管和IGBT或MOSFET晶体管组合的功率模块。
