致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究——中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，将在IIC China 2013上展示多项集成工艺方案，包括:0.5m CMOS集成工艺方案、22nm CMOS HKMG集成工艺方案、MEMs器件集成工艺方案、特种分立器件的工艺方案等。特色单项工艺有1)电子束：亚28nm线条光刻&刻蚀技术;2)原子层淀积：HfO2、TiN、TaN、Al2O3、SiO2等薄膜材料;3)外延生长：纯Ge，不同组分SiGe外延;4)超低能离子注入：注入能量0.2keV-60keV，剂量及倾斜角度可调;5)化学机械平坦化：SiO2、Si3N4、poly、W;6)低应力氮化硅。
“在CMOS小型化技术的相关领域，国际先进的生产技术将进入16纳米技术代，代工企业的量产技术也会进入22纳米技术代。在所谓的More Than Moore领域，以功率器件为代表的分立器件，如VDMOS，PIN二极管，IGBT，HEMTs等的市场需求越来越大，正在形成一个新的增长点。一些新的应用和电路或器件设计不断出现，带来很多研发工作。这些新应用的单个市场体量不大，但种类繁杂，需要有相应的产业化研发机构来完成。而集成电路先导工艺研发中心的定位就是满足此类需求，推动国内IC领域中小企业的技术创新。”研发中心的赵超主任在接受采访时谈道。
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究。研发中心除承担国家科研项目外，另一重要目标是为国内客户提供IC工艺模块的技术服务，包括电路和器件的全工艺流程开发，模块级或单步工艺的研发，极小批量的高附加值产品生产等，以满足工业界急需的生产技术开发以及小批量产品研发需求。
