3D鳍式电晶体（FinFET）是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)电晶体。
相较于传统电晶体若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一侧来控制，属于平面式的结构；3D FinFET的闸门，是类似鱼鳍般的三面立体式的设计，能大幅改善电路控制，减少因通道贯穿所产生之漏电问题。
利用3D FinFet，将能顺利让晶片发展到10奈米以下，此一半导体技术上的突破，将可让未来的超级电脑设计成只有指甲般大小。
目前全球第一量产FinFet制程半导体的厂商是英特尔，而三星、格罗方德与台积电也很积极，台积电技术长孙元成在美国一场会议中指出，跨入16奈米制程后将是FinFET架构的天下，台积电预计使用安谋首款64位元处理器v8来测试16奈米FinFET制程，2013年11月推出首款测试晶片，最快2014年量产。
