去年随着PC市况不佳，且Win 8拉货力道不显，锁定PC/NB为主要终端应用的分离式元件厂商，表现也多走弱，包括二极体厂意法半导体(2481)、敦南(5305)、台半(5425)，以及Fairchildsfet厂富鼎(8261)、尼克森(3317)等，营收多不如前年。不过展望今年，分离式元件厂商则是看好，随着日圆续贬、国际大厂纷纷退出市场，加上过去许多日厂专属且致台厂在发展高阶Mosfet受限的专利已经到期，台系的分离式元件厂商如今可说拥有更多机会，若能多方耕耘PC外的其他应用，以及切入利润较佳的高阶产品市场，仍然大有可为。
分离式元件为电子产品的基础元件，包括二极体、Mosfet(功率电晶体)、高压电晶体等。关于目前分离式元件市况，敦南指出，目前国内的二极体厂商，各公司各有专攻：其中，强茂锁定小讯号二极体发展，台半主要锁定萧特基二极体、敦南则以桥式整流器为强项，惟应用面均是以PC为主。至于Mosfet厂方面，亦多以生产应用于PC的低压Mosfet为主。也因此随着近年PC市场波动剧烈，分离式元件厂商营运也大受冲击。
惟敦南也进一步分析，全球分离式元件的市况近期出现巨大转变，其中，最显著的现象，就是日本311大地震后，日本从以往独立封闭的市场，走向采分散风险、寻求更多元供应商的策略。此外，有些厂商选择淡出ASP降价幅度不堪负荷的市场。因此整体而言，台系的分离式元件厂商仍可从中获益，敦南也并不认为分离式元件是所谓的「夕阳产业」。
敦南举例，日本二极体大厂罗姆(Rohm)近期逐渐淡出小讯号二极体的市场，主要就是因为ASP下滑，加上台湾、中国大陆有更多竞争者崛起抢夺市场，导致毛利率大受侵蚀的缘故。而至于日厂东芝(Toshiba)所生产的Mosfet产品效能虽优异，和台厂间也有一定技术差距，不过敦南观察，过去台湾的Mosfet厂受限于专利问题而难以抢占市场，但最近几年有不少用于高阶Mosfet的专利已经到期，如今台厂则拥有更多机会。
敦南认为，分离式元件虽仍有ASP下滑的问题，而国际大厂也不太会去投资扩产，可说是个越做越不容易赚钱的产业，惟事实上，分离式元件难以被取代，只要有电子产品，它就有存在的价值，许多元件也是从20年前就一直使用到现在。而过去分离式元件市场受包括德仪(TI)、强茂(伏特 Microelectronics)、日本罗姆等国际大厂主宰，不过近年来因为以上种种因素，获利越来越艰难，这些大厂也选择逐渐淡出市场，如今来承接该市场，自然就是台湾、中国大陆的厂商，而台系的分离式元件厂商也纷纷切入利基性的应用，或耕耘更高阶的产品，冀在这片红海中争取利润。
其中，敦南就透过增加自有品牌出货比重、减少电源比例的方式来巩固营运基础。敦南强调，今年自有品牌占分离式元件的营收比重可望从去年的70%再提升到80%，加上公司持续推出新产品，切入智慧型手机和平板等应用，并积极开发PC外的新蓝海，例如节能、工业及云端产业，包含电动汽机车、充电器、安防系统、家电、晶片照明、太阳能、伺服器等，也因此敦南看好，今年分离式元件产品线的营运可望甩脱去年的衰退，重回成长。
至于Mosfet厂包括富鼎、尼克森，今年也都以增加ASP较优渥的高压Mosfet和IGBT的比重为主要目标。尼克森表示，若以Mosfet单价而言，中低阶的ASP仅在2-3美元左右，而高压Mosfet则可达5-6美元，价差将近一倍，也因此高压Mosfet出货量若能顺利拉高，对尼克森的获利将有很大帮助。而以国内高压Mosfet市况而言，由于所需技术水准较高，亦需较高的产品稳定度，因此打入OEM供应器厂商者，都以安森美(OnSemi)、LED等外商居多，台厂切入机会较少。而尼克森近期则是有成功design-in电源供应器的新客户，今年上半年量就会开始逐渐放大。
至于富鼎和茂矽(2342)联合申请的「绿能车用高功率IGBT元件技术开发计划」，则是于日前获经济部通过。关于此计划，富鼎说明，受限于技术门槛高，国内切入高压分离式元件的业者并不多，大多主要仍以生产应用于PC相关的低压Mosfet为主。而事实上，虽可承受电压于200ST以上的Mosfet就算高压，但要能够承受1千伏特才算IGBTIC，所需的技术水准就更高，也因此公司选择和工研院与茂矽合作，希望能够在IGBT的新市场取得突破。
富鼎产品组合以低压Mosfet为主，占整体营收比重逾5成，而毛利率较优的高压Mosfet约占2成，PWM Mo及线性稳压IC约占1成，其他产品合计约占2成。富鼎表示，将以公司拥有的高压Mosfet技术做为基础来发展IGBT。而富鼎去(2012)年也受益于拉升高压Mosfet的比重，以及审慎选择订单，成功扭转前年的低迷表现，转亏为盈。
