Infineon第一个生产出SiC二极管

    德国Infineon Technologies AG公司近日在业界首次生产出采用SiC技术的肖特基二极管。SiC肖特基二极管比采用硅或砷化镓技术的传统功率二极管开关损耗更低，开关频率更高，因此可提供更高的工作电压范围。可用来设计出更可靠，紧凑的开关电源。硅肖特基二极管闭锁电压约200V，砷化镓可达250V，而SiC则可达到300V至3500V。1月起Infinion已在提供SiC肖特基二极管的样品，量产计划在4月份。万片时600V（4A）器件的单价为3.27美元，300V（10A）的器件则为7.20美元。