全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境。”
新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。
潘大伟补充道：“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能，使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”
产品规格
IR 器件编号VCESIC (NOM)VCE(ON) (典型)封装
IRG8CH15K10F1200V10A1.7膜上裸片
IRG8CH20K10F15A
IRG8CH29K10F25A
IRG8CH38K10F35A
IRG8CH42K10F40A
IRG8CH50K10F50A
IRG8CH76K10F 75A
IRG8CH97K10F100A
IRG8CH137K10F150A
IRG8CH182K10F200A
产品供应
IR Gen8 1200V IGBT平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (OEM) 及原始设计制造商 (ODM) 合作伙伴。
商标
IR®是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
