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650V的SiC肖特基势垒二极管

  英飞凌专有扩散焊接过程中,已经推出了第三代,是现在结合一个新的,更紧凑的设计以及最新进展薄晶圆技术将改进热的特性和一个图的优异(Q CX V f)的顺序低30%的相对于英飞凌前述SiC二极管家庭。结果是一个系列的产品,提供更好的效率PFC升压级在所有负载条件下与所有以前的thinQ!?这几代。针对高端服务器和电信SMPS(开关模式电源),PC Silverbox和照明应用,太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统中使用的第五代产品。


  英飞凌宣布扩大它的SiC(碳化硅)组合与引进650V的thinQ!?SiC肖特基势垒二极管第5代。


  英飞凌专有扩散焊接过程中,已经推出了第三代,是现在结合一个新的,更紧凑的设计以及最新进展薄晶圆技术将改进热的特性和一个图的优异(Q CX V f)的顺序低30%的相对于英飞凌前述SiC二极管家庭。结果是一个系列的产品,提供更好的效率PFC升压级在所有负载条件下与所有以前的thinQ!?这几代。针对高端服务器和电信SMPS(开关模式电源),PC Silverbox和照明应用,太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统中使用的第五代产品。随着新的一代,这些应用程序不仅有利于提高效率,同时也降低EMI(电磁干扰),提高了系统的可靠性和节省成本/尺寸减少冷却要求。


  “英飞凌已经显著改善和扩大投资组合在2001年以来的首次引进的SiC肖特基二极管。SiC二极管的差异化的产品,塑造未来的绿色能源,1月,威廉说:“??Reynaerts,产品部门主管高电压电源转换英飞凌科技股份公司。“第5代,可以进一步提高系统的效率和功率密度相比前几代,加上极具吸引力的价格性能比。”


  低电容电荷(Q c)值的第3代的正向电压(V f)的第2代的水平结合,使第5代的PFC电路中提供最大的效率水平。新的产品系列具有更高的击穿电压等级:650V 600V,而不是第2代和第3,匹配的CoolMOS?技术的最新版本。此功能提供了更高的安全边际的应用,如太阳能逆变器,并在极具挑战性的SMPS环境中。此外,第5代提供一个较强抗浪涌电流,,产品既有较高的额定电流和新的软件包,如TO-247和ThinPAK更广泛的产品组合,包括。
 

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