ARM与台积电(TSMC)合作，针对FinFET制程技术最佳化下一代64位元ARM核心。这想必让英特尔感觉颇为自得。
毕竟，这验证了这家晶片巨擘的两位高阶主管──Paul Otellini(欧德宁) 和Brian Krzanich在投资者日(investor day)中所做的演说──英特尔领先最接近的代工竞争厂四年。
事实上，正如我的同事Peter Clarke在他的文章中所说的，台湾的制造商和ARM之间的合作甚至无法预期2015下半年以前能够量产，因此，这个赌注也可能过于乐观。
此外，这个新闻也透露出ARM的伺服器策略矛盾之处。
ARM曾多次表示，2014年将针对伺服器市场推出重量级产品，而且将在两到三年内达到一定程度的市占率。但这次发布的新闻，却无异于对之前所做的声明浇了一大盆冷水。
依照ARM最新发布的新闻，至少要三年半，其采用FinFET技术的64位元V8架构才会就绪，而这将让英特尔有更充裕的时间来发展技术，再度将竞争对手远远抛在后头。
这个新发布的新闻还表示，台积电很可能会在之前曾表示将针对第二代20nm制程之后，重新制定FinFET元件(三闸极, tri-gate)策略。实际上，这份新闻稿读起来就像这家制造商不得不调整其次 20nm 计划，但台积电是否能轻易地跨越仍有待观察。
“毫无疑问，根据目前的记录，英特尔在 FinFET 部署方面将领先所有其他的公司，” Insight64 分析师 Nathan Brookwood 表示。
“他们采用 3D 电晶体的元件出货量已经达到数百万颗之多了，但台积电和 GlobalFoundries 仍坚持在 14nm 节点前不会采用该技术，因此就量产而言，英特尔至少领先了四年。我听到一些消息，目前的情况是这两家公司也打算加快该技术的发展。”
话虽如此，但Brookwood并不相信 ARM 会等待 FinFET 就绪，才开始将其64位元架构导入到伺服器和客户端设备中。这家英国的晶片设计业者已经在去年发布了64位元的ARM V8架构，而 Applied Micro 也已经向一些早期客户推出基于FPGA的V8产品，预估今年稍晚还将推出 40nm ARMv8 SoC，2013年将再发布28nm版本。
“包括苹果(Apple)、高通(Qualcomm)、Marvell和Nvidia在内的ARM架构授权厂商们，如果在很短时间内相继转移到采用28nm的64位元架构，我想我一点都不会感到惊讶，”Brookwood说。
他接着表示，在他看来， ARM 与台积电此次发布的声明，并不意味着64位元ARM晶片必须等待 FinFET 技术，但它确实需要几年的时间来开发实体IP，特别是台积电和 GlobalFoundries 在发展 FinFET 时仍将面临诸多设计约束。
对台积电而言，将 FinFET 技术推进到 14nm 节点是一项惊人之举。毕竟，晶圆厂要制造 FinFET 元件以前，首先要正确掌握high-k金属闸极技术，但台积电目前仍在奋力与英特尔和 Globalfoundries 竞争。
“就如同英特尔在本月初 Semicon West 上的演讲所说的，每一世代的新制程技术，必然要以之前的技术为基础，”Brookwood表示。
再确实不过了。现在，英特尔在FinFET发展竞赛中领先所有竞争对手，也再度印证了这个说法。
