全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的支持者们，最近集结成了一个移动运算应用统一阵线，希望推动该技术成为英特尔 (Intel) FinFET制造方法的另一种可行替代选项。
包括ARM、IBM、Soitec、意法半导体(STMicroelectronics)、代工厂Globalfoundries ，以及研发机构如CEA-Leti等，都共同在稍早前的SEMICON West大会上，共同商讨FDSOI技术的前景。他们强调，为了在日益升高的设计复杂度和成本等挑战压力下，再推动新的行动技术发展，业界将需要“协同创新”。“我们比以往任何时刻都更需要同心协力，”IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton说。
Patton接着表示，芯片制造商将成为SOI产业联盟的核心，基本上，这个联盟的成员集结起来，就像是一个“虚拟IDM”，或是积体电路制造商。
要推动这种新芯片技术获得成果，半导体供应链中的每一个部份都应该出一份力，Globalfoundries设计方案副总裁Subramani Kengeri说。该公司上个月才宣布与ST展开基于FDSOI技术的28nm和20nm元件合作。
ST技术研究和开发部门副总裁Phillippe Magarshack 认为，要同时提高行动设备性能并降低功耗，不断带来压力。“合作是最高原则。任何公司都不能仅独善其身了。”
ST的手机晶片合资企业ST-Ericsson在今年稍早宣布，将在下一代NovaThor 行动应用处理器中采用平面FDSIO 技术。
Magarshack表示，ST下个月就将推出首款采用平面FDSOI技术的28nm芯片，并预计今年底开始出样。
在FDSOI 晶体管中，在源极和漏极之间形成的导电通道，被限制在闸极氧化层之下以及SOI 埋入式氧化层之上的超薄矽晶层中。/ 资料来源：ST-Ericsson
这种低功耗方法的支持者表示，能将智能手机和平板电脑的电池寿命延长多达30%。法国晶片研发机构CEA-Leti 握有FDSOI技术关键专利，该机构也声称能提高最多20%的移动设备速度，相当于能为一款移动设备提供额外的4小时网路浏览时间。
