意法半导体(ST)宣布格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)将采用意法半导体独有的完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技术，为意法半导体生产28奈米和20奈米晶片。
意法半导体负责设计支援和服务的企业副总裁Philippe Magarshack表示，因为没有MOS历史效应影响(MOS-History-Effect)，从28奈米传统互补金属氧化物半导体(CMOS)制程(Bulk CMOS)技术向28奈米FD-SOI移植软体库和物理IP内核很简单，使用传统的CAD工具和方法研发FD-SOI数位系统单晶片与研发传统CMOS制程技术完全相同。
Magarshack进一步指出，透过动态最佳化电路基片(俗称衬底)，FD-SOI还可让同一晶片具有极高性能或极低功耗，FD-SO在低电压条件下拥有出色的性能表现，能效明显高于传统CMOS制程技术。
凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术，意法半导体推出28奈米的完全空乏型元件。为提供FD-SOI货源双重保障，意法半导体与格罗方德签订代工协定，以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。
与此同时，28奈米FD-SOI元件目前已商用化，预计于2012年7月前投入原型设计；而20奈米FD-SOI元件目前处于研发阶段，预计于2013年第三季投入原型设计。
此外，意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代行动平台，这项技术将让ST-Ericsson的NovaThor平台具有更高的性能和更低的功耗，在发挥最高性能的同时降低功耗达35%。意法半导体计画对格罗方德的其他客户开放FD-SOI技术，让他们能采用28奈米和20奈米技术研发产品。
