随着降低环境负荷的要求日益提高，功率元器件市场在不断增长。而且，为了进一步减少电力损失，以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前，就蓬勃发展的功率元器件市场，曾在德国英飞凌大幅提高了该业务的业绩并负责该公司战略发展、并购及营销的管理委员会成员阿瓦加伊·米塔尔 （Arunjai Mittal）接受了媒体的采访。
您如何看待功率元器件市场？
功率元器件市场今后还将继续增长。但增长空间会因采用功率元器件的各用途情况的不同而异。
SiC作为新一代材料的优势？
SiC的主要优势是，可以提高效率，并提高输出功率密度。而且，还适合高温运行，所以冷却机构可简化。由于还能实现高速开关动作，因此被动元器件的尺寸可缩小。
SiC市场将会如何？
我认为SiC市场今后还会扩大。然而因材料费较高，单个元器件还很昂贵。因此，如果不在采用SiC功率元器件会在多大程度上改变系统的成本这一点上得到用户 的认可，就不可能很快扩大应用。例如，虽然元器件成本升高，但通过使用SiC而使冷却机构得以简化，使系统整体的成本与原来相同，或者低于以前。
因冷却机构的简化，所用的铜等材料也可减少。据认为今后地球上铜、铁及石油等多种资源的供求形势会比现在还要严峻。惟其如此，更需要尽量减少冷却机构等使用的部材，而在需要降低整体系统成本的用途上，我认为可以采用SiC。
SiC适合的领域？
SiC适合的领域，有前述那样希望减少冷却机构的用途、要求高转换效率及输出功率密度的用途，以及要求以高频率开关的用途等。
例如，光伏发电系统就适合采用SiC。这是因为该领域要求尽量提高效率。除了提高太阳能电池板的光电转换效率之外，还要求转换并输送电力的部分降低损耗。这里可发挥SiC的低损耗性作用。
最近，贵公司决定推出SiC制JFET？
我们数年前就开始在提供SiC制JFET的样品。此次终于推出了产品。决定推出产品的原因是，我们在SiC方面积累了不少技术经验，且正好赶上了制造成本比以前还要低的时机。
FET与MOSFET相比，最大的优势在于，因去掉了栅极氧化膜，所以不会发生因之而起的可靠性降低。
在SiC备受关注的同时，新涉足用Super Junction（SJ）构造的Si制MOSFET业务的企业在增加？
节能领域是一个增长市场。因此，从事SJ型MOSFET业务的企业也在不断增加。传统型MOSFET的封装面积有限，在这样的面积中制作损耗更小的元器件存在限制。因此，采用SJ构造的企业才会不断增加。
我想对新涉足SJ构造MOSFET业务的企业说声“Good luck!”。这句话含有两层意思。一个是希望这种MOSFET能够有助于解决地球能源问题。另一个是希望这些企业“好好干”。但我们（英飞凌）在SJ构造MOSFET方面拥有丰富的经验。
关于Si制IGBT，有意见认为性能提高的潜力变小了。
IGBT性能的提高确实被认为正在接近极限。但或许会发生“硅反击战”，而不是星球大战“帝国反击战”。
