2012年6月5日台湾COMPUTEX(台北电脑展)——闪存解决方案的全球领导者SanDisk闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）今日宣布，SanDisk闪迪正采用全球最先进的半导体制造工艺生产SanDisk闪迪最高性能的嵌入式存储产品。
iNAND Extreme™目前采用SanDisk闪迪19纳米(nm)*工艺技术制造，满足大容量、高性能的嵌入式NAND闪存产品需要，特别适用于高端平板电脑和智能手机。运行安卓操作系统以及即将问市的Microsoft Windows® 8操作系统的RT版本产品都将受益于iNAND Extreme的大容量、高性能与小尺寸优势。
iNAND Extreme嵌入式闪存能够明显提高多任务处理、网页浏览、文件传输以及图像捕获等方面的性能，为智能手机和平板电脑用户带来更为愉悦的体验。iNAND Extreme的存储容量范围为16GB至128GB**。128GB存储器足以容纳数部高清电影及数千首（张）歌曲和照片。
用19纳米制造技术打造出的iNAND Extreme电路极为紧凑。来比较一下，一张纸的厚度约为0.1毫米（10万纳米），这意味着一张纸的厚度上可以排布5000个19纳米厚的物体。
iNAND Extreme将被用于最新NVIDIA® Tegra®3 4-Plus-1™ 四核处理器的参考设计，作为运行最新版操作系统的高端平板电脑和移动设备的推荐型高性能存储设备。
NVIDIA（英伟达）公司笔记本产品部门总经理Rene Haas表示：“作为我们重要的合作伙伴，SanDisk闪迪可以充分体现Tegra 3的性能。正如Tegra在各种类型的移动设备上提供了前所未有的超高性能和电池寿命，iNAND Extreme也提供了高性能的存储解决方案，为平板电脑和移动设备创造出世界一流的用户体验。”
OEM事业部高级副总裁兼总经理Dan Inbar表示：“凭借SanDisk闪迪在技术和制造上的专长，我们有能力向OEM客户供应能带给消费者切实利益的大容量存储器。我们将同各大软件生产商通力合作，不断优化存储器，以适应下一代操作系统、文件系统及典型使用模式来更好地帮助移动设备制作商生产出具有卓越用户体验的产品。”
SanDisk闪迪的128GB iNAND Extreme产品采用极具竞争力的12mm×16mm封装。该产品符合新的e.MMC™ 4.5规范，连续写入速度可达每秒45兆字节(MB/s)，读取速度可达每秒100 MB/s***。同时，新一代iNAND Extreme的随机写入性能是上一代产品的两倍，随机读取性能大大提升***。此外，iNAND Extreme旨在与当前以及下一代平板电脑和智能手机设备所使用的文件系统实现最佳整合。最新版iNAND Extreme样品将于本月面市，今年夏天可向客户全面供应。
SanDisk闪迪的iNAND系列为移动市场上的每个性能区段和容量提供了嵌入式存储解决方案。SanDisk闪迪iNAND™系列包括iNAND™、iNAND Ultra™和iNAND Extreme。
