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积体电路新突破 3C寿命倍增

    交通大学材料工程所教授陈智领导的研究团队,在三维积体电路与铜导线的材料研究有重大突破,可立即投入半导体制程,不仅让电子产品「飙速」,而且产品更轻薄、寿命也倍增,为三维积体电路技术发展掀起革命性影响。

    这项独步全球的研究成果,获刊在最新一期的世界顶尖期刊《SCIENCE》。交大校长吴妍华表示,这项研究不只是科学理论上的突破,更具有实用价值。

    这项重大研究已在申请国内外专利,陈智预估,未来的应用层面非常广泛,只要是电子产品,从手机、电脑、医疗器材到飞航设施都用得到。

    这项技术若用在高阶的智慧型手机设计,可以让手机更轻更薄,速度更快,手机寿命也更长。最重要的是,该研究不只是停留在实验室阶段,由于可与现有的半导体制程相容,可以马上供业界使用。

    陈智表示,三维积体电路靠铜来导电,但铜金属层的排列很混乱,需要很强的电流,导电效果才会好,但是强电流又易造成侵蚀。

    研究团队在电镀液中加入关键添加剂,可以提高导电效果,并抵抗高电流的侵蚀,能运用在三维积体电路IC封装,及微电子的铜导线,提升电子产品的寿命数倍至数十倍,还可以降低制程的成本。

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