5月29日，华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，并顺利通过可靠性考核。加上去年成功量产的1200V Planar 和Trench NPT工艺平台，华润上华已成为国内首家具备包含前道和背面工艺的全套600V/1200V/1700V NPT IGBT加工能力的代工厂。
华润上华已具备60μm以上的IGBT薄片加工能力。此次开发量产的600V Planar NPT IGBT工艺产品，其背面减薄后圆片厚度仅100μm。该工艺产品主要应用于UPS系统(不间断电源)、太阳能逆变器、变频家电、工业变频驱动和电焊机等市场。华润上华的1700V Planar NPT IGBT工艺平台更解决了高压IGBT存在的高温漏电问题，产品主要应用于变频器、风力变流器和智能电网等市场。
华润上华IGBT工艺平台的布局立足于满足节能减排的需求，支持中国在十二五期间新能源政策如太阳能发电和风能发电以及智能电网的发展，同时切合国内电焊机、变频器、UPS等巨大的市场需求。华润上华近两年在IGBT工艺平台的布局已经取得不少丰硕成果。1200V Planar 和Trench NPT IGBT已于2011年初量产；600V Trench PT 以及600V 和1700V Planar NPT IGBT平台已于近期开发完成；2500V Planar NPT IGBT的静态参数和动态参数已经达到设计目标，并通过预考核。同时，600V 和 1700V Trench NPT IGBT、3300V/4500V Planar FS IGBT静态参数DC如V(BR)CES 和VCE(on) 也已经达到预期结果。
华润上华作为国内首家以晶圆代工模式立足中国半导体市场的产业先锋，自2005年DMOS工艺量产以来，成功开发了量产6英寸高压平面栅400-700V MOSFET、6英寸中压平面栅50-200V MOSFET、8英寸低压沟槽栅20-40V MOSFET、8英寸中压沟槽栅50-80V MOSFET等丰富的功率器件工艺平台。近两年在IGBT各类工艺平台的开发成果，使得华润上华在功率器件代工的工艺平台更为全面，将进一步促进国内功率器件产业的发展，提高节能减排关键部件的国产化水平和比重。
