美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底，尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底，下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米，导电能力得到极大提高，电阻率比他们以前的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外，Kyma也成功开发了高掺杂n+型氮化镓衬底晶片，n型载流子浓度达到了6´1018 cm-3，对应电阻率仅为0.005欧姆厘米。Kyma公司此前的n型氮化镓产品仍然在出售，以后将被标记为n-型号。
对于很多半导体材料和器件研究而言，尽管n-型氮化镓仍可作为一种较好的初始生长材料，n+型氮化镓则更有优势，特别是对于垂直结构器件和降低器件接触电阻方面。在垂直功率电子器件方面，n+型氮化镓可获得超低的电阻，同时也降低了寄生电阻。而在LED等光电子器件方面，n+型氮化镓可获得低的垂直电阻，有效降低电流拥挤效应的发生。通过这些具有高电子浓度导电衬底的使用，将会使功率电子器件和光电子器件的性能和使用寿命得到大幅度提高，具有重大应用价值。
Kyma公司是一家专门生产氮化镓和氮化铝晶体材料的公司，这些材料在高性能的氮化物半导体器件方面具有广泛应用。从长期看，氮化物半导体器件市场预计超过900亿美元，其中在可见光领域的市场应用超过600亿美元，在功率微电子器件方面的应用超过300亿美元，市场前景广阔。
