5月20日消息，三星电子昨天宣布开发出了首款应用90纳米技术的512Mb XDR DRAM样品，这是目前多媒体应用领域速度最快的存储器。
三星该款512Mb XDR DRAM能够以每秒高达9.6GB的速度传输数据，其传输速度是DDR400存储器的12倍，同时也是目前最快的RDRAM (PC 800)存储器的6倍。它应用了先进的90纳米技术，能够在1.8伏的工作电压下，达到最高每秒4.8Gb的运行速度。
这款存储器的目标市场，集中在需要先进数字成像以及3D制图的高性能宽带应用领域，例如最新的游戏引擎、数字电视、高端服务器以及高级工作站。
索尼公司的计算机娱乐部门将选择三星的XDR DRAM，并将其应用于下一代的电脑游戏系统PS3之上。
三星半导体部门存储器市场副总裁Yeong Ho Kang先生表示：“我们同索尼公司的计算机娱乐部门通力合作，满足其PS3发布的基本需求：具备最理想热效能的极速系统存储器。”
三星的XDR DRAM采用了基于Rambus公司的XDR存储器接口技术。该技术能够满足各种规格的数据输入和输出需求，并且适用于x2, x4, x8 和x16多种配置。
根据市场研究公司IDC的调查，在接下来的四年之内(从2006年到2009年)，XDR DRAM市场将会稳步地增长，内存产量将达到8亿个256Mb。
