中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布，其0.11微米后段铜制程（Cu-BEoL）超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。
中芯国际该通过硅验证的超高密度（UltraHighDensity）IP库解决方案，包含中芯国际基于更小存储单元（bitcell）自主研发的超高密度IP，以及MentorGraphics（纳斯达克:MENT）开发的cool-memoryIP库（MemQuestTM存储编译程序）。其中中芯国际的超高密度IP库包含：6-Track超高密度的标准单元（standardcell）库，超高密度存储编译程序，和超高密度标准输入输出接口（I/O）单元库。MentorGraphics开发的cool-memoryIP库则包含了coolSRAM-6TTM，coolREG-6TTM，coolREG-8TTM（DualPort），coolREG-8TTM（TwoPort），以及coolROMTM。该统一的IP库解决方案可供中芯客户免费使用,提供在功率优化，速度以及密度上不同的配置，以满足客户需求。
中芯国际此次发布的超高密度IP库解决方案，与传统IP库相比，可使客户在设计上平均节省31%的芯片面积，大大提升了中芯国际在0.11微米工艺节点上的成本优势。此次通过硅验证的0.11微米超高密度IP解决方案，可以被广泛应用在移动存储设备、闪存控制器、移动多媒体播放器、数字电视、机顶盒等领域。
“中芯国际0.11微米铜制层生产线极高的工艺稳定性得到了客户的认可。中芯国际铜制层生产线量产至今，采用中芯国际0.11微米IP库的晶圆累计出货已达到十几万片，”中芯国际产品市场处高级总监陈昱升表示。“中芯国际北京12英寸和上海8英寸晶圆厂，可以根据客户的芯片尺寸和数量提供灵活的定制性服务，极大地满足了不同类型客户的流片需求。搭配0.11微米后段铜制程超高密度IP库解决方案，将可进一步说明客户大大降低其制造成本，提高市场竞争力。”
