日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq股市代号：RFMD)宣布扩展其超高效率功率放大器 (PA) 产品系列，新加入六款 4G LTE 功率放大器。
RFMD 的超高效率功率放大器重新建立了智能手机和以数据为中心的其他高性能连接设备的性能标准。这些功率放大器在 LTE 模式下可提供 42%-44% 的超高峰值效率，远远优于当前竞争产品。RFMD 的 LTE 功率放大器在最高功率条件下也可具有无与伦比的线性性能，可实现高达 20MHz 的频宽和更高的数据传输速率。
该新型功率放大器在 LTE 模式下具有卓越的峰值效率和电流消耗性能，其补充了 RFMD 的适用于 WCDMA 应用的第一代超高效率放大器系列。
新增这六款 LTE 功率放大器之后，RFMD的超高效率产品系列现已覆盖 WCDMA 频带 1、2、3、4、5 和 8 以及 LTE 频带 4、7、11、13、17、18、20 和 21。这有助于加快 LTE 在移动设备上的全球性覆盖，同时在数据吞吐性能、电池寿命和热性能方面可显着增强移动宽带消费者的体验。
在 3G 和 4G LTE 中，RFMD的超高效率功率放大器利用了公司在 RF 系统方面的专业技术和 RF 功率管理方面的领导地位，在所有功率等级和所有模式和频段下均具有最佳电流消耗性能。由于主要的蜂窝解决方案均将开始采用先进的功率管理方案，如平均功率跟踪 (APT) 和包膜跟踪 (ET)，RFMD在功率管理方面的领导地位预计将在 2012 年会变得愈加重要。
RFMD 蜂窝产品组 (CPG) 总裁 Eric Creviston 说：“RFMD客户正在不断挑战频段数量和形状系数极限，这对于 RFMD 而言是一个应对日益复杂的、与电池寿命和热性能相关的 RF 挑战的绝佳机会。我们期望，随着我们的超高效率产品系列的不断扩展，我们在 3G 和 4G LTE 方面能保持强劲的增长势头，且市场份额也能大幅增加。
