飞兆半导体荣获2006 十大DC-DC产品奖

   飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 荣获《今日电子》杂志颁发2006年十大DC-DC 产品奖。获奖的产品是 30V 同步降压转换器芯片组FDS6298和FDS6299S，该芯片组利用了最新的英特尔移动电压定位 (Intel Mobile Voltage Positioning, IMVP) 技术规格，能大大优化笔记本电脑的效率和空间。 
  
    通过飞兆半导体的 PowerTrench® MOSFET 技术，高端 “控制” MOSFET (FDS6298) 和低端 “同步” MOSFET (FDS6299S) 构成了一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，FDS6299S 器件的单片电路 SyncFET™ 技术毋须使用外部肖特基二极管 (Schottky diode)，因此能节省电路板空间和装配成本。 
  
　　飞兆半导体在北京举办的 “2006 功率模块技术研讨会”的特别典礼上获颁这个奖项。这些奖项是为鼓励中国的电源技术应用而设立的。 
  
　　飞兆半导体计算解决方案市务经理 David Grey称：“飞兆半导体PowerTrench 技术支持的功能集能够提高效率。在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量，较高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，而且更可以是改善电磁兼容性或EMI的指标。PowerTrench 技术还减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，因此能减少信号振荡和电磁噪声辐射。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的 FDS6298/FDS6299S 芯片组利用配对的集成式 SyncFET™ 器件，大大减少组件数目。” 
  
　　这种集成式芯片组的米勒电荷 (Miller) 或 Qgd 极低，并具有快速的开关速度和小于1 的 Qgd / Qgs 比，以限制交叉导通 (cross-conduction) 损耗的可能性。除了Vcore设计之外，快速开关 FDS6298 和低导通阻抗 RDS(on) FDS6299S 提供了配对使用的好处，非常适合于高端通信设备等应用中的大电流负载点 (POL) 转换器。 
  
　　FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特点包括： 
      低总Qg (9nC @ VGS = 4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS = 4.5V)，具有快速开关速度，能提高效率； 
　　优化的芯片和引线框架设计，能降低封装阻抗和电感、减小传导损耗及源极端电感开关损耗；以及 
　   规范的Rg和经 过全面测试的Rg，可实现优良的漏源开关特性。 
  
　　FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特点包括： 
      低导通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以减小 DC 损耗； 
　   低体二极管损耗 (低 QRR 和低前向电压降) 以提高效率； 
　   软恢复特性减少噪声，低Crss 减小交叉传导的可能性； 
      低总Qg (31nC @ VGS = 5V) 降低栅级驱动要求。 
  
　　这些产品均采用无铅 SO-8 封装，能达到甚至超越 IPC/JEDEC的 J-STD-020B 标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。 
  
　　FDS6298/FDS6299S 同步降压转换器芯片组，是飞兆半导体采用创新技术来解决计算应用特定问题的又一范例。飞兆半导体提供多种互相配合的产品以满足今天的设计挑战，包括线性功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多负载点 (multiple point-of-load) 产品。