据外媒报道，RFMD于近日发表采用高功率氮化镓 (GaN )制程开发的新款宽带功率放大器 RFHA1000 GaN Power IC (PIC)，专门设计针对连续波和脉冲应用，如军事通讯、电子战、无线设备、雷达、双向无线电和通用放大等。
此款高效能放大器采用先进的高功率密度氮化镓(GaN) HEMT半导体制程，可透过单一放大器设计于50MHz至10,00MHz的瞬时频宽，以实现高效率、增益平坦和高功率。外部输出匹配则提供进一步最佳化电源并增加60%的能效，以用于整体频宽内的任何次频。
该GaN 分离式放大器为50Ω输入匹配封装，28V作业与15W输出功率，采用小型5x6mm SOIC-8气腔陶瓷封装，透过先进的散热片和功耗技术提供卓越的热稳定性。并因包含封装内的最佳化输入匹配网络而达到易于整合性，其透过单一放大器提供宽带增益和功率效能。
