传统的小信号电芯片 (BISS)/MOSFET解决方案通常需采用两个封装。恩智浦(NXP)近期宣布推出的采用 DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑胶封装的精巧型中功率电芯片和 N-channel Trench MOSFET 产品── PBSM5240PF，相较之下 PBSM5240PF 可减少超过50%的电路板占用面积，同时使封装高度降低10%以上。此外， DFN2020-6 (SOT1118) 封装亦整合一个散热器，使散热性能提升25%，进而可支援高达2A的电流，并达成较低的功耗。
由于 DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑胶封装面积仅2 x 2 mm，高度为0.65 mm，因此新元件能满足行动设备等高性能消费产品的微型化趋势。
PBSM5240PF可做为可携式电池充电电路的一部分，适用于手机、MP3播放器以及其他可携式设备。也可应用于需要出色散热性能、较高电流支援与占用面积小的负载开关或电池驱动设备中。
作为业界首款整合低 VCE (sat) BISS 电芯片和 Trench MOSFET 的二合一型产品， PBSM5240PF 不但可节省PCB板空间，同时具备出色的性能。
