内存作为半导体行业的风向标，一直是各种新制造技术的试验田。而今天，半导体行业老大哥三星则发布了一款面向企业级应用的32GBDDR3内存模组，而由于采用了3DTSV（直通硅晶体穿孔）技术和30nm制造工艺，这款容量高达32GB的内存模组功耗仅为4.5W。
该内存模组支持Registered模式，默认工作频率为DDR31333，采用30nm工艺进行制造。由于其采用了众多先进工艺和技术进行制造，因此即便是加入了Registered模式，其功耗仍然要比普通Unbuffer内存模组低30%；而三星宣称，这款内存是目前企业级内存中功耗最低的。
与英特尔的3D晶体管技术不同，三星的3DTSV技术只是将多层芯片进行堆叠，从而达到提高每颗粒内存容量和减少干扰及损耗的目的。目前，运用这一技术的内存颗粒已经进入试产阶段，如果一切顺利，不久后即将开始大规模生产。看来很多服务器的最高内存容量又将翻番了。
