ST最新射频合成器集成嵌入式压控振荡器

    意法半导体公司(ST)日前发布了一款带有嵌入式压控振荡器(VCO)的多频带射频合成器——STW81100。该器件采用BICMOS硅锗(SiGe)制造工艺，有助于大幅减少材料成本和占板面积更小的集成电路。这也是ST开发的内建PLL(锁相环)与VCO的高度集成射频解决方案的第一款产品，适用于无线通讯与测试设备系统。 

    STW81100具有高性能、高集成度、低功耗、多频带功能等特性，是一款将PLL与VCO集成在一起的低成本单片解决方案。STW81100包括一个整数N频率合成器和两个完整的内置VCO，相位噪声极低，噪声基准为–153dBc/Hz。宽频带VCO(中心频率校正覆盖32个子频带)，结合多重输出选项(例如：直接输出，以及2分频或4分频输出)，使合成器能够覆盖三个频带：820MHz到1100MHz、1640MHz到2200MHz和3280MHz到4400MHz。 

    STW81100还能以IP单元形式供货，从而进一步拓展了ST的RF ASic知识产权(IP)组合。STW81100采用28引脚的裸露型QFN无铅封装，现可供应样片与评估板，预计2005年中开始量产，采购10,000颗时单价为3美元(仅供参考)。