国家半导体65nm工艺LSI专用温度传感器IC

  美国国家半导体公司（National Semiconductor Corp.）面向设计标准为65nm的微细LSI发布了温度传感器IC“LM95234”等5种产品。这些产品配备了对用于温度测定的片上热敏二极管（Thermal Diode）的误差进行修正的功能“TruTherm”。该公司在不使用TruTherm功能的情况下、对某种微处理器的首批65nm工艺产品的温度进行测定时，在90nm工艺下仅为1℃的片上热敏二极管的误差，到了65nm工艺时则增加到3℃左右。通过TruTehrm功能可将这一误差控制在0.5℃。此次的产品可支持65nm及90nm两种工艺的二极管。

    此次通过改进数字滤波器将检测精度比以前最大提高了4倍左右。一般来说，越来越微细化的处理器的工作频率都较高，芯片的温度变化剧烈。温度传感器IC通过向片上温度传感器元件施放2次电流来测定温度。工作频率高的LSI存在一个有待解决的问题，即由于在这2次测定之间温度会产生变化，因此实际上未发生的短时间的急剧温度变化则会被检测出来。此次的产品将这种脉冲状温度变化视为误差，而取其平均值。 

    除了温度传感器IC自身的温度之外，还可利用4个二极管对其他部位的温度进行测定。设想可用于对例如微处理器及图像处理LSI的片上热敏二极管、以及内存及硬盘中配备的二极管元件的温度进行测定。测定二极管温度的4个信道中，有2个配备了数字滤波器。其余的2个信道则借助“Fault-Queue”功能，在发生急剧温度变化时，如果3次超过触发值就将其认定为温度变化。4个信道的测定误差均为±0.75℃。目前已开始样品供货，计划2006年9月～10月开始量产。