三星今天宣布，该公司已经收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis。
Grandis的非挥发性存储技术是DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存未来的竞争者，芯片能耗更低，性能更高。但是，目前大规模制造MRAM芯片的成本过高。
三星称，Grandis将被整合到研发部门中。三星相关研发部门“专注于开发新一代存储技术，评估新型半导体材料和结构的长期商业价值”。
三星和Grandis没有披露这一交易进一步的详细资料。Grandis成立于2002年，有约25名员工，尚未发售一款产品
Grandis业务发展副总裁亚历克斯·德利斯科尔-史密斯(AlexDriskill-Smith)表示，通过去年与HynixSemiconductor达成的开发协议，该公司生产出了首款54纳米芯片。Grandis预计，未来5年该公司的生产工艺将发展到20纳米，甚至更先进。
Grandis的MRAM技术比传统技术更先进。传统MRAM芯片的工艺一直是99纳米。
据德利斯科尔-史密斯称，与廉价的NAND闪存芯片相比，MRAM芯片写数据的能耗要低得多，“MRAM在许多方面要好于NAND闪存，NAND闪存芯片在改变每个存储位的状态时需要15伏至20伏的电压，需要的时间量级为微秒，甚至达到毫秒”。
