外电指出，三星电子(SamsungElectronics)执行长崔志成(ChoiGee-sung)25日表示，三星下半年的资本支出也不会减少，且还会高于原先预期，因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画；这象征在DRAM产业价格血流成河，且NANDFlash产业受到智能型手机、平板计算机等需求不如预期的时刻，三星的产能扩充仍没有踩煞车的迹象。
三星2011年最大的投资为打造Line16新2寸晶圆厂厂房，预计2011年第3末开始量产，初期会以NANDFlash产品为主，外界预估NANDFlash将是主力，因为三星与东芝(Toshiba)之间的市占率持续拉近至0.3%，因此新厂的产能对于双方都很重要。
三星在华城Line12、器兴Lien14和美国奥斯汀厂等厂房合计的NANDFlash产能约35万片，Line16新产能加入后，预计可拉大与劲敌东芝之间的市占，不过，东芝与快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)合资的新12寸晶圆厂Fab5也即将量产，在双方都拼命扩产之下，未来全球NANDFlash龙头是否会易主值得观察。
在DRAM方面，虽然目前市场上没有传出三星的Line16有把DRAM产能加进去，但以目前DRAM产业血流成河的市况来看，即使三星不扩产，同业都相当辛苦，而新厂量产后，未来可轻易加入DRAM生产行列，对市场而言都要进一步观察。
除了三星坚守2011年的资本支出不减少，且甚至增加外，日前台系DRAM厂南亚科和华亚科也维持既有资本支出，南亚科为新台币120亿元，华亚科为新台币170亿元，未来若加速30纳米制程转进，不排除加码资本支出。
