国际整流器公司(简称IR)扩展其PQFN封装系列，推出PQFN2mmx2mm和PQFN3.3mmx3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET®MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。
新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET，提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术(N和P)来实现超低损耗。例如，IRLHS6276在只有4mm2的范围内，配备了两个典型导通电阻(RDS(on))均为33m?的MOSFET。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用，为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今，IR新增了这些封装，能够提供一系列低压PQFN产品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件，以及单器件或双器件，它们都拥有极低的导通电阻。”
这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件，可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1mm，与现有的表面贴装技术相兼容，并且拥有符合行业标准的占位空间，也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。
