RFMicro Devices, Inc.（Nasdaq GS股市代号：RFMD）日前宣布，其用于 65V 操作的GaN1 功率半导体处理技术已通过认证。这种高可靠性的功率半导体工艺技术支持 RFMD 基于 GaN 的功率半导体产品设计，代工客户可通过 RFMD 代工服务业务部门获得该技术。
在此之前，RFMD 的 GaN1 功率半导体工艺技术已获得认证，可用于 48V 操作。工作电压从 48V 提高到 65V，这使 0.5kW 的微型功率设备可为L 波段和 S 波段的军事和民用雷达应用提供高工作效率。
RFMD 多市场产品组 (MPG) 总裁 Bob Van Buskirk 表示：“我们用于 65V 操作的 GaN1 功率半导体工艺技术术通过认证，这不仅使 RFMD 能够抓住不同 MPG 市场各种高压应用机遇，而且还能帮助我们的代工客户设计功率更高、更小的外围片芯。为了更好地服务于代工客户并开发专有的 RFMD 产品设计，RFMD 将继续优化我们全新的 GaN 工艺技术，重点提供更高的峰值效率、更低的功率消耗及更高的线性化。”
RFMD 用于48V 操作的GaN1 工艺技术无疑是高功率半导体行业的性能领先者，而 RFMD 用于65V 操作的 GaN1 工艺技术的性能甚至比其更高一筹。RFMD 用于65V 操作的GaN1 工艺技术的平均无故障时间(MTTF) 为 4300 万小时，其通道温度为 200 ℃，功率密度为 10W，这是该行业一个重要的性能基准。高可靠性的功率半导体工艺技术适用于高压操作，是下一代军事、雷达、公共/国防方面移动无线电应用的理想选择。
若要获得更多关于 RFMD 代工服务业务部门的信息，请发送邮件至 RFMDFoundryServices@rfmd.com 。
