欧洲研究机构IMEC及其合作伙伴在一项关于GaN制造的研发计划中，在8寸硅晶圆上生长出了器件质量级的GaN/AlGaN层。
这些首个基于8寸晶圆的GaN器件，对高效8寸晶圆厂生产具有成本效益的功率器件具有重要的里程碑意义。
基于GaN的金属绝缘层半导体HEMT(MIS-HEMT，High electron mobility transistor)在制作时使用了应用材料公司生产的先进的MOCVD设备，不过大部分生产设备均是采用标准的CMOS制造设备。
传统功率器件的欧姆接触和栅极采用金材料，但它使GaN工艺与传统的CMOS工艺不兼容。为了解决这个问题，IMEC在制作GaN HEMT的欧姆接触时，采用的是非金材料，同时将HEMT的肖特基栅极改为非金MIS栅极。非金MIS栅极不仅可以避免采用特殊工艺，同时还降低了传统HEMT器件的高漏电流问题。
基于兼容CMOS工艺8寸硅衬底的GaN功率器件
