日本半导体理工学研究中心（STARC）宣布，其与广岛大学三浦研究室合作开发的电路模拟用MOS晶体管模型“HiSIM2：Hiroshima-university STARC IGFET Model 2”已成为国际标准。电路模拟用晶体管模型的国际标准化机构“Compact Model Council：CMC”在2011年3月31日和4月1日于美国旧金山举行的会议上，选择HiSIM2作为Bulk基板MOS晶体管的CMC标准模型。
HiSIM2是考虑了从MOS晶体管源极至漏极间电位分布的电位模晶体管型。与20世纪90年代开发的BSIM等将晶体管内部作为黑箱来处理的阈值电压模型相比，可更准确地处理晶体管的动作。BSIM3和BSIM4都于20世纪90年代被选作CMC标准模型，但后来随着微细化的发展，在准确度和处理时间（收敛性）上问题凸显，因此CMC决定征集取代BSIM的新一代模型。
除准确度和收敛性出色外，HiSIM2还具有可模块化的特点。因此，容易开发诸如HiSIM_HV等扩展模型。HiSIM_HV是在HiSIM2掌控的Bulk MOS晶体管模型旁边增加漂移方面的模型而开发出来的。此外，在HiSIM_HV中增加BJT的模型就开发出了“HiSIM-IGBT”。HiSIM-IGBT是由丰田中央研究所和丰田汽车分别与广岛大学合作研发出来的。
另外，据STARC介绍，HiSIM2和HiSIM_HV的开发得到了日本独立行政法人新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的资助，从而加速了标准化。
